1 總 則

1．0．1 為使建(構(gòu))筑物防雷設(shè)計(jì)因地制宜地采取防雷措施，防止或減少雷擊建(構(gòu))筑物所發(fā)生的人身傷亡和文物、財(cái)產(chǎn)損失，以及雷擊電磁脈沖引發(fā)的電氣和電子系統(tǒng)損壞或錯(cuò)誤運(yùn)行，做到安全可靠、技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟(jì)合理，制定本規(guī)范。

1．0．2 本規(guī)范適用于新建、擴(kuò)建、改建建(構(gòu))筑物的防雷設(shè)計(jì)。

1．0．3 建(構(gòu))筑物防雷設(shè)計(jì)，應(yīng)在認(rèn)真調(diào)查地理、地質(zhì)、土壤、氣象、環(huán)境等條件和雷電活動(dòng)規(guī)律，以及被保護(hù)物的特點(diǎn)等的基礎(chǔ)上，詳細(xì)研究并確定防雷裝置的形式及其布置。

1．0．4 建(構(gòu))筑物防雷設(shè)計(jì)，除應(yīng)符合本規(guī)范外，尚應(yīng)符合國(guó)家現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。

2．0. 1 對(duì)地閃擊 lightning flash to earth
雷云與大地(含地上的突出物)之間的一次或多次放電。

2．0．2 雷擊 lightning stroke
對(duì)地閃擊中的一次放電。

2．0．3 雷擊點(diǎn) point of strike
閃擊擊在大地或其上突出物上的那一點(diǎn)。一次閃擊可能有多個(gè)雷擊點(diǎn)。

2．0．4 雷電流 lightning current
流經(jīng)雷擊點(diǎn)的電流。

2．0．5 防雷裝置 lightning protection system(LPS)
用于減少閃擊擊于建(構(gòu))筑物上或建(構(gòu))筑物附近造成的物質(zhì)性損害和人身傷亡，由外部防雷裝置和內(nèi)部防雷裝置組成。

2．0．6 外部防雷裝置 external lightning protection system
由接閃器、引下線(xiàn)和接地裝置組成。

2．0．7 內(nèi)部防雷裝置 internal lightning protection system
由防雷等電位連接和與外部防雷裝置的間隔距離組成。

2．0．8 接閃器 air-termination system
由攔截閃擊的接閃桿、接閃帶、接閃線(xiàn)、接閃網(wǎng)以及金屬屋面、金屬構(gòu)件等組成。

2．0．9 引下線(xiàn) down-conductor system
用于將雷電流從接閃器傳導(dǎo)至接地裝置的導(dǎo)體。

2．0．10 接地裝置 earth-termination system
接地體和接地線(xiàn)的總合，用于傳導(dǎo)雷電流并將其流散入大地。

2．0．11 接地體 earth electrode
埋入土壤中或混凝土基礎(chǔ)中作散流用的導(dǎo)體。

2．0．12 接地線(xiàn) earthing conductor
從引下線(xiàn)斷接卡或換線(xiàn)處至接地體的連接導(dǎo)體；或從接地端子、等電位連接帶至接地體的連接導(dǎo)體。

2．0．13 直擊雷 direct lightning flash
閃擊直接擊于建(構(gòu))筑物、其他物體、大地或外部防雷裝置上，產(chǎn)生電效應(yīng)、熱效應(yīng)和機(jī)械力者。

2．0．14 閃電靜電感應(yīng) lightning electrostatic induction
由于雷云的作用，使附近導(dǎo)體上感應(yīng)出與雷云符號(hào)相反的電荷，雷云主放電時(shí)，先導(dǎo)通道中的電荷迅速中和，在導(dǎo)體上的感應(yīng)電荷得到釋放，如沒(méi)有就近泄入地中就會(huì)產(chǎn)生很高的電位。

2．0．15 閃電電磁感應(yīng) lightning electromagnetic induction
由于雷電流迅速變化在其周?chē)�空間產(chǎn)生瞬變的強(qiáng)電磁場(chǎng)，使附近導(dǎo)體上感應(yīng)出很高的電動(dòng)勢(shì)。

2．0．16 閃電感應(yīng) lightning induction
閃電放電時(shí)，在附近導(dǎo)體上產(chǎn)生的雷電靜電感應(yīng)和雷電電磁感應(yīng)，它可能使金屬部件之間產(chǎn)生火花放電。

2．0．17 閃電電涌 lightning surge
閃電擊于防雷裝置或線(xiàn)路上以及由閃電靜電感應(yīng)或雷擊電磁脈沖引發(fā)，表現(xiàn)為過(guò)電壓、過(guò)電流的瞬態(tài)波。

2．0．18 閃電電涌侵入 lightning surge on incoming services
由于雷電對(duì)架空線(xiàn)路、電纜線(xiàn)路或金屬管道的作用，雷電波，即閃電電涌，可能沿著這些管線(xiàn)侵入屋內(nèi)，危及人身安全或損壞設(shè)備。

2．0．19 防雷等電位連接 lightning equipotential bonding(LEB)
將分開(kāi)的諸金屬物體直接用連接導(dǎo)體或經(jīng)電涌保護(hù)器連接到防雷裝置上以減小雷電流引發(fā)的電位差。

2．0．20 等電位連接帶 bonding bar
將金屬裝置、外來(lái)導(dǎo)電物、電力線(xiàn)路、電信線(xiàn)路及其他線(xiàn)路連于其上以能與防雷裝置做等電位連接的金屬帶。

2．0．21 等電位連接導(dǎo)體 bonding conductor
將分開(kāi)的諸導(dǎo)電性物體連接到防雷裝置的導(dǎo)體。

2．0．22 等電位連接網(wǎng)絡(luò) bonding network(BN)
將建(構(gòu))筑物和建(構(gòu))筑物內(nèi)系統(tǒng)(帶電導(dǎo)體除外)的所有導(dǎo)電性物體互相連接組成的一個(gè)網(wǎng)。

2．0．23 接地系統(tǒng) earthing system
將等電位連接網(wǎng)絡(luò)和接地裝置連在一起的整個(gè)系統(tǒng)。

2．0．24 防雷區(qū) lightning protection zone(LPZ)
劃分雷擊電磁環(huán)境的區(qū)，一個(gè)防雷區(qū)的區(qū)界面不一定要有實(shí)物界面，如不一定要有墻壁、地板或天花板作為區(qū)界面。

2．0．25 雷擊電磁脈沖 lightning electromagnetic impulse(LEMP)
雷電流經(jīng)電阻、電感、電容耦合產(chǎn)生的電磁效應(yīng)，包含閃電電涌和輻射電磁場(chǎng)。

2．0．26 電氣系統(tǒng) electrical system
由低壓供電組合部件構(gòu)成的系統(tǒng)。也稱(chēng)低壓配電系統(tǒng)或低壓配電線(xiàn)路。

2．0．27 電子系統(tǒng) electronic system
由敏感電子組合部件構(gòu)成的系統(tǒng)。

2．0．28 建(構(gòu))筑物內(nèi)系統(tǒng) internal system
建(構(gòu))筑物內(nèi)的電氣系統(tǒng)和電子系統(tǒng)。

2．0．29 電涌保護(hù)器 surge protective device(SPD)
用于限制瞬態(tài)過(guò)電壓和分泄電涌電流的器件。它至少含有一個(gè)非線(xiàn)性元件。

2．0．30 保護(hù)模式 modes of protection
電氣系統(tǒng)電涌保護(hù)器的保護(hù)部件可連接在相對(duì)相、相對(duì)地、相對(duì)中性線(xiàn)、中性線(xiàn)對(duì)地及其組合，以及電子系統(tǒng)電涌保護(hù)器的保護(hù)部件連接在線(xiàn)對(duì)線(xiàn)、線(xiàn)對(duì)地及其組合。

2．0．31 最大持續(xù)運(yùn)行電壓 maximum continuous operatingvoltage(U_c)
可持續(xù)加于電氣系統(tǒng)電涌保護(hù)器保護(hù)模式的最大方均根電壓或直流電壓；可持續(xù)加于電子系統(tǒng)電涌保護(hù)器端子上，且不致引起電涌保護(hù)器傳輸特性減低的最大方均根電壓或直流電壓。

2．0．32 標(biāo)稱(chēng)放電電流 nominal discharge current(I_n)
流過(guò)電涌保護(hù)器8／20μs電流波的峰值。

2．0．33 沖擊電流 impulse current(I_imp)
由電流幅值I_peak、電荷Q和單位能量W／R所限定。

2．0．34 以I_imp試驗(yàn)的電涌保護(hù)器 SPD tested with I_imp
耐得起10／350μs典型波形的部分雷電流的電涌保護(hù)器需要用I_imp電流做相應(yīng)的沖擊試驗(yàn)。

2．0．35 I 級(jí)試驗(yàn) class I test
電氣系統(tǒng)中采用 I 級(jí)試驗(yàn)的電涌保護(hù)器要用標(biāo)稱(chēng)放電電流I_n、1.2／50μs沖擊電壓和最大沖擊電流I_imp做試驗(yàn)。 I級(jí)試驗(yàn)也可用 T1 外加方框表示，即。

2．0．36 以I_n試驗(yàn)的電涌保護(hù)器 SPD tested with I_n
耐得起8／20μs典型波形的感應(yīng)電涌電流的電涌保護(hù)器需要用I_n電流做相應(yīng)的沖擊試驗(yàn)。

2．0．37 Ⅱ級(jí)試驗(yàn) class Ⅱ test
電氣系統(tǒng)中采用Ⅱ級(jí)試驗(yàn)的電涌保護(hù)器要用標(biāo)稱(chēng)放電電流I_n、1．2／50μs沖擊電壓和8／20μs電流波最大放電電流I_max做試驗(yàn)。Ⅱ級(jí)試驗(yàn)也可用 T2 外加方框表示，即。

2．0．38 以組合波試驗(yàn)的電涌保護(hù)器 SPD tested with acombination wave
耐得起8／20μs典型波形的感應(yīng)電涌電流的電涌保護(hù)器需要用I_sc短路電流做相應(yīng)的沖擊試驗(yàn)。

2．0．39 Ⅲ 級(jí)試驗(yàn) class Ⅲ test
電氣系統(tǒng)中采用 Ⅲ 級(jí)試驗(yàn)的電涌保護(hù)器要用組合波做試驗(yàn)。組合波定義為由2Ω組合波發(fā)生器產(chǎn)生1．2／50μs開(kāi)路電壓U_oc和8／20μs短路電流I_sc。Ⅲ 級(jí)試驗(yàn)也可用 T3 外加方框表示，即。

2．0. 40 電壓開(kāi)關(guān)型電涌保護(hù)器 voltage switching type SPD
無(wú)電涌出現(xiàn)時(shí)為高阻抗，當(dāng)出現(xiàn)電壓電涌時(shí)突變?yōu)榈妥杩埂Ｍǔ２捎梅烹婇g隙、充氣放電管、硅可控整流器或三端雙向可控硅元件做電壓開(kāi)關(guān)型電涌保護(hù)器的組件。也稱(chēng)“克羅巴型”電涌保護(hù)器。具有不連續(xù)的電壓、電流特性。

2．0．41 限壓型電涌保護(hù)器 voltage limiting type SPD
無(wú)電涌出現(xiàn)時(shí)為高阻抗，隨著電涌電流和電壓的增加，阻抗連續(xù)變小。通常采用壓敏電阻、抑制二極管作限壓型電涌保護(hù)器的組件。也稱(chēng)“箝壓型”電涌保護(hù)器。具有連續(xù)的電壓、電流特性。

2．0．42 組合型電涌保護(hù)器 combination type SPD
由電壓開(kāi)關(guān)型元件和限壓型元件組合而成的電涌保護(hù)器，其特性隨所加電壓的特性可以表現(xiàn)為電壓開(kāi)關(guān)型、限壓型或電壓開(kāi)關(guān)型和限壓型皆有。

2．0．43 測(cè)量的限制電壓 measured limiting voltage
施加規(guī)定波形和幅值的沖擊波時(shí)，在電涌保護(hù)器接線(xiàn)端子間測(cè)得的最大電壓值。

2．0．44 電壓保護(hù)水平 voltage protection level(U_p)
表征電涌保護(hù)器限制接線(xiàn)端子間電壓的性能參數(shù)，其值可從優(yōu)先值的列表中選擇。電壓保護(hù)水平值應(yīng)大于所測(cè)量的限制電壓的最高值。

2．0．45 1．2／50μs沖擊電壓 1. 2／50μs voltage impulse
規(guī)定的波頭時(shí)間T₁為1．2μs、半值時(shí)間T₂為50μs的沖擊電壓。

2．0．46 8／20μs沖擊電流 8／20μs current impulse
規(guī)定的波頭時(shí)間T₁為8μs、半值時(shí)間 T₂為20μs的沖擊電流。

2．0．47 設(shè)備耐沖擊電壓額定值 rated impulse withstand voltage of equipment(U_w)
設(shè)備制造商給予的設(shè)備耐沖擊電壓額定值，表征其絕緣防過(guò)電壓的耐受能力。

2．0．48 插入損耗 insertion loss
電氣系統(tǒng)中，在給定頻率下，連接到給定電源系統(tǒng)的電涌保護(hù)器的插入損耗為電源線(xiàn)上緊靠電涌保護(hù)器接入點(diǎn)之后，在被試電涌保護(hù)器接入前后的電壓比，結(jié)果用dB表示。電子系統(tǒng)中，由于在傳輸系統(tǒng)中插入一個(gè)電涌保護(hù)器所引起的損耗，它是在電涌保護(hù)器插入前傳遞到后面的系統(tǒng)部分的功率與電涌保護(hù)器插入后傳遞到同一部分的功率之比。通常用dB表示。

2．0．49 回波損耗 return loss
反射系數(shù)倒數(shù)的模。以分貝(dB)表示。

2．0．50 近端串?dāng)_ near-end crosstalk(NEXT)
串?dāng)_在被干擾的通道中傳輸，其方向與產(chǎn)生干擾的通道中電流傳輸?shù)姆较蛳喾�。在被干擾的通道中產(chǎn)生的近端串?dāng)_，其端口通�？拷�產(chǎn)生干擾的通道的供能端，或與供能端重合。